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高性能静态 CMOS 技术
高达 150MHz
1.9V/1.8V内核,3.3V I/O设计
高性能 32 位 CPU
IEEE-754 单精度浮点单元
16 x 16 和 32 x 32 介质访问控制) 运算
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哈佛总线架构
快速中断响应和处理
统一存储器编程模型
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