磷化铟(InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方(zincblende)晶体结构，与GaAs和大多数III-V半导体相同。磷化铟可以通过白磷和碘化铟在400℃下的反应制备，也可以通过在高温和高压下直接组合纯化的元素，或通过三烷基铟化合物和磷的混合物的热分解来制备。

磷化铟用于高功率和高频电子设备，因为它相对于更常见的半导体硅和砷化镓具有优异的电子速度。它与铟镓砷一起用于制造破纪录的假晶异质结双极晶体管，其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙，使其可用于激光二极管等光电器件。磷化铟还用作外延基于铟镓砷的光电器件的衬底。厦门中芯晶研可提供2",3",4"磷化铟单晶片。