厦门中芯晶研可提供2",3",4"氮化镓单晶片。

氮化镓(GaN)是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元直接带隙半导体。该化合物是—种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 ev的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物一样)，使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓(GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。