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砷化镓(GaAs)是镓和砷元素的化合物。它是具有闪锌矿晶体结构的III-V直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路,单片微波集成电路,红外发光二极管,激光二极管,太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs通常用作外延生长其他III-V半导体的衬底材料,包括砷化铟镓,砷化铝镓等。厦门中芯晶研可提供2",3",4"砷化镓单晶片。